Fotodiodo OSI Optoelectronics 2 pin. 65 °, 720 nm, rilevamento Ultravioletti Foro passante, TO-8
- Codice RS:
- 848-6281
- Codice costruttore:
- UV-035EQ
- Costruttore:
- OSI Optoelectronics
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- Codice RS:
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- UV-035EQ
- Costruttore:
- OSI Optoelectronics
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | OSI Optoelectronics | |
| Tipo prodotto | Fotodiodo | |
| Spettri rilevati | Ultravioletti | |
| Lunghezza d'onda sensibilità di picco | 720nm | |
| Tipo di package | TO-8 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Confezionamento | Nastro e bobina | |
| Numero aghi | 2 | |
| Lunghezza d'onda minima rilevata | 320nm | |
| Lunghezza d'onda massima rilevata | 1100nm | |
| Tempo di caduta tipico | 0.6ns | |
| Minima temperatura operativa | -25°C | |
| Amplificato | No | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 5mm | |
| Altezza | 5.21mm | |
| Lunghezza | 8mm | |
| Angolo mezza sensibilità | 65 ° | |
| Diametro | 13.97mm | |
| Corrente di buio | 0.2nA | |
| Tempo di salita tipico | 0.6ns | |
| Polarità | Al contrario | |
| Tensione di rottura | 30V | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio OSI Optoelectronics | ||
Tipo prodotto Fotodiodo | ||
Spettri rilevati Ultravioletti | ||
Lunghezza d'onda sensibilità di picco 720nm | ||
Tipo di package TO-8 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Confezionamento Nastro e bobina | ||
Numero aghi 2 | ||
Lunghezza d'onda minima rilevata 320nm | ||
Lunghezza d'onda massima rilevata 1100nm | ||
Tempo di caduta tipico 0.6ns | ||
Minima temperatura operativa -25°C | ||
Amplificato No | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 5mm | ||
Altezza 5.21mm | ||
Lunghezza 8mm | ||
Angolo mezza sensibilità 65 ° | ||
Diametro 13.97mm | ||
Corrente di buio 0.2nA | ||
Tempo di salita tipico 0.6ns | ||
Polarità Al contrario | ||
Tensione di rottura 30V | ||
Standard automobilistico No | ||
Fotodiodi OSI serie UV Enhanced
La serie UV Enhanced, di OSI Optoelectronics, consiste in una gamma di fotodiodi in silicio potenziati per raggi UV. Questa serie include due distinte famiglie di fotodiodi, a canale di inversione e a diffusione planare. Entrambe queste famiglie sono progettate per il rilevamento a bassa rumorosità nella zona UV dello spettro elettromagnetico.
La famiglia con struttura a strati di inversione vanta il 100% di efficienza quantistica interna. Grazie a un'elevata resistenza shunt, una bassa rumorosità e una tensione di scarica distruttiva elevata, questa famiglia di fotodiodi è ideale per le misurazioni della luce a bassa intensità.
I fotodiodi con struttura a diffusione planare offrono una capacità inferiore e un maggiore tempo di risposta rispetto alla famiglia a strati di inversione. Inoltre mostrano linearità della fotocorrente fino a una maggiore potenza in ingresso della luce rispetto ai fotodiodi a strati di inversione.
Le applicazioni adatte per la serie UV Enhanced comprendono il monitoraggio dell'inquinamento, strumentazione medica, esposimetri, spettroscopia, depurazione delle acque e fluorescenza.
Caratteristiche della serie UV Enhanced:
Fotodiodi a strati di inversione o in silicio a diffusione planare
Eccellente risposta ai raggi UV
Fotodiodi, OSI Optoelectronics
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