Fotodiodo OSI Optoelectronics PIN-UV-100DQC 2 pin. 65 °, 980 nm, rilevamento Ultravioletti Foro passante, Contenitore in

Visualizza Fotodiodi

Prezzo per 1 scatola da 2 unità*

435,46 €

(IVA esclusa)

531,26 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 14 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Scatola*
2 +217,73 €435,46 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
177-5563
Codice costruttore:
PIN-UV-100DQC
Costruttore:
OSI Optoelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

OSI Optoelectronics

Spettri rilevati

Ultravioletti

Tipo prodotto

Fotodiodo

Lunghezza d'onda sensibilità di picco

980nm

Tipo di package

Contenitore in ceramica

Confezionamento

Nastro e bobina

Tipo montaggio

Foro passante

Numero aghi

2

Lunghezza d'onda minima rilevata

190nm

Lunghezza d'onda massima rilevata

1100nm

Tempo di caduta tipico

0.6ns

Amplificato

No

Minima temperatura operativa

-25°C

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

14.99mm

Lunghezza

16.51mm

Altezza

2.03mm

Angolo mezza sensibilità

65 °

Tensione di rottura

30V

Tempo di salita tipico

0.6ns

Standard automobilistico

No

Polarità

Al contrario

Corrente di buio

0.2nA

Paese di origine:
US

Fotodiodi OSI serie UV Enhanced


La serie UV Enhanced, di OSI Optoelectronics, consiste in una gamma di fotodiodi in silicio potenziati per raggi UV. Questa serie include due distinte famiglie di fotodiodi, a canale di inversione e a diffusione planare. Entrambe queste famiglie sono progettate per il rilevamento a bassa rumorosità nella zona UV dello spettro elettromagnetico.

La famiglia con struttura a strati di inversione vanta il 100% di efficienza quantistica interna. Grazie a un'elevata resistenza shunt, una bassa rumorosità e una tensione di scarica distruttiva elevata, questa famiglia di fotodiodi è ideale per le misurazioni della luce a bassa intensità.

I fotodiodi con struttura a diffusione planare offrono una capacità inferiore e un maggiore tempo di risposta rispetto alla famiglia a strati di inversione. Inoltre mostrano linearità della fotocorrente fino a una maggiore potenza in ingresso della luce rispetto ai fotodiodi a strati di inversione.

Le applicazioni adatte per la serie UV Enhanced comprendono il monitoraggio dell'inquinamento, strumentazione medica, esposimetri, spettroscopia, depurazione delle acque e fluorescenza.

Caratteristiche della serie UV Enhanced:

Fotodiodi a strati di inversione o in silicio a diffusione planare

Eccellente risposta ai raggi UV

Fotodiodi, OSI Optoelectronics


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.