Fotodiodo OSI Optoelectronics UV-035EQ 2 pin. 65 °, 720 nm, rilevamento Ultravioletti Foro passante, TO-8

Codice RS:: 177-5573
Codice costruttore:: UV-035EQ
Costruttore:: OSI Optoelectronics

Fotodiodo OSI Optoelectronics UV-035EQ 2 pin. 65 °, 720 nm, rilevamento Ultravioletti Foro passante, TO-8

Prezzo per 1 vassoio da 5 unità*

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Codice RS:: 177-5573
Codice costruttore:: UV-035EQ
Costruttore:: OSI Optoelectronics

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	OSI Optoelectronics
	Spettri rilevati	Ultravioletti
	Tipo prodotto	Fotodiodo
	Lunghezza d'onda sensibilità di picco	720nm
	Tipo di package	TO-8
	Tipo montaggio	Foro passante
	Confezionamento	Nastro e bobina
	Numero aghi	2
	Lunghezza d'onda minima rilevata	320nm
	Lunghezza d'onda massima rilevata	1100nm
	Tempo di caduta tipico	0.6ns
	Amplificato	No
	Minima temperatura operativa	-25°C
	Temperatura massima di funzionamento	85°C
	Lunghezza	8mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Larghezza	5mm
	Altezza	5.21mm
	Diametro	13.97mm
	Angolo mezza sensibilità	65 °
	Tensione di rottura	30V
	Tempo di salita tipico	0.6ns
	Standard automobilistico	No
	Polarità	Al contrario
	Corrente di buio	0.2nA

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	Marchio OSI Optoelectronics
	Spettri rilevati Ultravioletti
	Tipo prodotto Fotodiodo
	Lunghezza d'onda sensibilità di picco 720nm
	Tipo di package TO-8
	Tipo montaggio Foro passante
	Confezionamento Nastro e bobina
	Numero aghi 2
	Lunghezza d'onda minima rilevata 320nm
	Lunghezza d'onda massima rilevata 1100nm
	Tempo di caduta tipico 0.6ns
	Amplificato No
	Minima temperatura operativa -25°C
	Temperatura massima di funzionamento 85°C
	Lunghezza 8mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Larghezza 5mm
	Altezza 5.21mm
	Diametro 13.97mm
	Angolo mezza sensibilità 65 °
	Tensione di rottura 30V
	Tempo di salita tipico 0.6ns
	Standard automobilistico No
	Polarità Al contrario
	Corrente di buio 0.2nA

UV Enhanced Series Data Sheet

Fotodiodi OSI serie UV Enhanced

La serie UV Enhanced, di OSI Optoelectronics, consiste in una gamma di fotodiodi in silicio potenziati per raggi UV. Questa serie include due distinte famiglie di fotodiodi, a canale di inversione e a diffusione planare. Entrambe queste famiglie sono progettate per il rilevamento a bassa rumorosità nella zona UV dello spettro elettromagnetico.

La famiglia con struttura a strati di inversione vanta il 100% di efficienza quantistica interna. Grazie a un'elevata resistenza shunt, una bassa rumorosità e una tensione di scarica distruttiva elevata, questa famiglia di fotodiodi è ideale per le misurazioni della luce a bassa intensità.

I fotodiodi con struttura a diffusione planare offrono una capacità inferiore e un maggiore tempo di risposta rispetto alla famiglia a strati di inversione. Inoltre mostrano linearità della fotocorrente fino a una maggiore potenza in ingresso della luce rispetto ai fotodiodi a strati di inversione.

Le applicazioni adatte per la serie UV Enhanced comprendono il monitoraggio dell'inquinamento, strumentazione medica, esposimetri, spettroscopia, depurazione delle acque e fluorescenza.

Caratteristiche della serie UV Enhanced:

Fotodiodi a strati di inversione o in silicio a diffusione planare

Eccellente risposta ai raggi UV

Fotodiodo OSI Optoelectronics UV-035EQ 2 pin. 65 °, 720 nm, rilevamento Ultravioletti Foro passante, TO-8

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Fotodiodi OSI serie UV Enhanced

Fotodiodi, OSI Optoelectronics

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