onsemi AEC-Q100 Modulo Driver gate NCV51152BADR2G Driver gate isolato, 9 A 1, SOIC-8, 8 Pin 20 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-026
Codice costruttore:
NCV51152BADR2G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Modulo Driver gate

Corrente di uscita

9A

Numero pin

8

Tempo di discesa

8.3ns

Tipo di package

SOIC-8

Numero di uscite

2

Tipo di driver

Driver gate isolato

Tempo di salita

22ns

Tensione minima di alimentazione

3V

Numero driver

1

Tensione massima di alimentazione

20V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned), AEC-Q100-011, UL1577 (Planned), CQC (Planned)

Altezza

1.75mm

Serie

NCV51152

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

AEC-Q100

Paese di origine:
PH
Il gate driver a canale singolo isolato di ON Semiconductor è progettato per la commutazione rapida di MOSFET di potenza e interruttori di potenza MOSFET SiC. È dotato di ritardi di propagazione brevi e abbinati, è disponibile in un package SOIC-8 compatto da 4 mm e supporta una tensione di isolamento fino a 3,75 kVRMS. Inoltre, include funzioni di protezione essenziali come il blocco indipendente della sottotensione per entrambi i lati del driver.

Ritardo di propagazione tipico 36 ns con corrispondenza di ritardo massima di 5 ns

Qualificato AEC Q100 per i requisiti delle applicazioni automobilistiche

Capacità di gestione di 5 V negativi sui pin di ingresso

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