STMicroelectronics Gate driver STDRIVEG210Q, 1250 μA 2, QFN-18L, 18 Pin 6.6 V

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Codice RS:
648-110
Codice costruttore:
STDRIVEG210Q
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

Gate driver

Corrente di uscita

1250μA

Numero pin

18

Tipo di package

QFN-18L

Tempo di discesa

11ns

Tempo di salita

22ns

Tensione minima di alimentazione

6.6V

Numero driver

2

Tensione massima di alimentazione

6.6V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

5mm

Serie

STDRIVEG210

Standard/Approvazioni

ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017: 2kV, ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018: 1kV

Altezza

1mm

Larghezza

4 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH
Il driver gate Half-bridge STMicroelectronics è ottimizzato per i transistor GaN in modalità di potenziamento canale N, che supporta il funzionamento fino a 220 V tramite un diodo bootstrap integrato. Offre una commutazione ad alta velocità con un ritardo di propagazione minimo, una tempistica corrispondente e un robusto azionamento di corrente grazie ai LDO integrati. Progettato per le modalità di commutazione soft e hard, è dotato di risveglio rapido, protezione da interblocco e UVLO personalizzati per migliorare l'efficienza durante le operazioni a scoppio.

Ingressi logici e pin di spegnimento separati

Pin di guasto per la segnalazione di sovratemperatura e UVLO

Funzione di stand by per la modalità a basso consumo

Conforme alla direttiva RoHS