STMicroelectronics Gate driver STDRIVEG612QTR Driver gate, 1.8 A 2, QFN, 18 Pin 20V

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Codice RS:
734-275
Codice costruttore:
STDRIVEG612QTR
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

Gate driver

Corrente di uscita

1.8A

Numero pin

18

Tempo di discesa

13ns

Tipo di package

QFN

Tipo di driver

Driver gate

Tempo di salita

22ns

Tensione minima di alimentazione

3.3V

Tensione massima di alimentazione

20V

Numero driver

2

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Altezza

1mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHs Compliant

Serie

STDR

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Paese di origine:
SG
Il driver gate half-bridge ad alta velocità STMicroelectronics è progettato per fornire un controllo preciso ed efficiente degli HEMT GaN in modalità avanzata con un driver gate da 5 V. La sua sezione driver high-side supporta guide di tensione fino a 600 V, il che la rende adatta per le applicazioni di conversione di potenza più impegnative. Grazie all'avvio ultrarapido, al basso ritardo di propagazione e alle funzioni di protezione avanzate, garantisce un funzionamento affidabile in ambienti di commutazione ad alta frequenza.

Percorsi separati di dissipatore e sorgente con capacità di dissipatore da 1,8 A e sorgente da 0,8 A

Regolatori lineari lato alto e lato basso che forniscono una tensione di azionamento da 5 V

Ritardo di propagazione di 50 ns con impulso di uscita minimo di 15 ns

Comparatore per il rilevamento di sovracorrente con Smart Shutdown e funzioni di segnalazione guasti