STMicroelectronics Gate driver STDRIVEG212QTR Driver gate, 1.8 A 2, QFN, 18 Pin 20V

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Codice RS:
734-274
Codice costruttore:
STDRIVEG212QTR
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

Gate driver

Corrente di uscita

1.8A

Numero pin

18

Tempo di discesa

13ns

Tipo di package

QFN

Tipo di driver

Driver gate

Tempo di salita

22ns

Tensione minima di alimentazione

3.3V

Numero driver

2

Tensione massima di alimentazione

20V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

5mm

Altezza

1mm

Larghezza

4 mm

Serie

STDR

Standard/Approvazioni

RoHs Compliant

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Paese di origine:
SG
Il driver gate half-bridge ad alta velocità STMicroelectronics è ottimizzato per l'azionamento di HEMT GaN in modalità avanzata con una tensione gate di 5 V. È dotato di una robusta sezione driver high-side in grado di supportare le guide di tensione fino a 220 V, fornita tramite un bootstrap integrato. Con avviamento ultrarapido, basso ritardo di propagazione e meccanismi di protezione avanzati, è progettato per un funzionamento affidabile ed efficiente in applicazioni di conversione di potenza ad alta frequenza.

Percorsi separati di dissipatore e sorgente con capacità di dissipatore da 1,8 A e sorgente da 0,8 A

Regolatori lineari lato alto e lato basso che forniscono una tensione di azionamento da 5 V

Ritardo di propagazione di 50 ns con impulso di uscita minimo di 15 ns

Comparatore per il rilevamento di sovracorrente con Smart Shutdown e funzioni di segnalazione guasti