STMicroelectronics Gate driver STDRIVEG211Q, 1350 μA 2, QFN-18L, 18 Pin 6.6 V

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Codice RS:
648-111
Codice costruttore:
STDRIVEG211Q
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

Gate driver

Corrente di uscita

1350μA

Numero pin

18

Tipo di package

QFN-18L

Tempo di discesa

0.75ns

Tempo di salita

22ns

Tensione minima di alimentazione

6.6V

Numero driver

2

Tensione massima di alimentazione

6.6V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Serie

STDRIVEG211

Altezza

1mm

Lunghezza

5mm

Larghezza

4 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH
Il driver gate Half-bridge STMicroelectronics su misura per i transistor GaN in modalità di potenziamento canale N, offre un funzionamento senza soluzione di continuità fino a 220 V attraverso il diodo bootstrap integrato. Progettato per la commutazione ad alta velocità, è dotato di un breve ritardo di propagazione, un'eccellente corrispondenza del ritardo, UVLO per un'affidabilità di commutazione difficile e protezione SmartSD integrata contro le sovracorrenti con funzionalità di interblocco.

Ingressi logici e pin di spegnimento separati

Pin di guasto per la segnalazione di sovratemperatura e UVLO

Funzione di stand by per la modalità a basso consumo

Conforme alla direttiva RoHS

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