Renesas Electronics No MOSFET MOSFET, 4 A 2, SOIC, 8 Pin 14 V
- Codice RS:
- 196-8892
- Codice costruttore:
- ISL2111ABZ
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Prezzo per 1 tubo da 98 unità*
421,694 €
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514,50 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 98 + | 4,303 € | 421,69 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 196-8892
- Codice costruttore:
- ISL2111ABZ
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Corrente di uscita | 4A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tempo di discesa | 190ns | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Numero di uscite | 2 | |
| Tempo di salita | 300ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 14V | |
| Numero driver | 2 | |
| Tensione massima di alimentazione | 14V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Serie | ISL2111 | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Corrente di uscita 4A | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tempo di discesa 190ns | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Numero di uscite 2 | ||
Tempo di salita 300ns | ||
Tensione minima di alimentazione 14V | ||
Numero driver 2 | ||
Tensione massima di alimentazione 14V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.75mm | ||
Serie ISL2111 | ||
Larghezza 4 mm | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico No | ||
Renesas Electronics serie ISL2111 è costituita da circuiti integrati driver MOSFET di potenza a canale N half-bridge 100V, ad alta frequenza. Sono basati su
I driver half-bridge HIP2100, HIP2101 più diffusi, ma offrono diversi miglioramenti delle prestazioni.
Pilota half-bridge MOSFET a canale N.
Opzioni contenitore SOIC, DFN e TDFN
Tensione massima di alimentazione bootstrap a 114VDC
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