Infineon No MOSFET 1EDN8511BXUSA1 MOSFET, 8 A 1, SOT-23, 6 Pin 20 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4767
Codice costruttore:
1EDN8511BXUSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Corrente di uscita

8A

Numero pin

6

Tipo di package

SOT-23

Tempo di discesa

4.5ns

Numero di uscite

2

Tipo di driver

MOSFET

Tempo di salita

6.5ns

Tensione minima di alimentazione

4.2V

Tensione massima di alimentazione

20V

Numero driver

1

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.9mm

Serie

1EDN8511B

Altezza

1.45mm

Larghezza

1.6 mm

Standard/Approvazioni

No

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

I driver gate MOSFET Infineon a 1 canale sono il collegamento Crucial tra gli IC di controllo e i potenti dispositivi di commutazione MOSFET e GAN. Gli IC per driver gate consentono un'elevata efficienza a livello di sistema, un'eccellente densità di potenza e una robustezza uniforme del sistema.

-10V la robustezza degli ingressi di controllo e abilitazione fornisce un margine di sicurezza Crucial durante l'azionamento dei trasformatori a impulsi

La robustezza della corrente di uscita inversa 5a elimina la necessità di diodi di commutazione Schottky quando si attivano MOSFET in contenitori TO-220 e TO-247

IC driver Cool grazie agli stadi di uscita a bassa impedenza rail-to-rail

Opzioni UVLO (Under Voltage Lock out) 4V e 8V per una protezione MOSFET immediata durante l'avviamento e in condizioni anomale

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