Driver gate MOSFET 1EDN7550BXTSA1, CMOS, 8 A, 4.5 → 20V, SOT23-6, 4-Pin

I circuiti integrati di pilotaggio dei gate Infineon 1EDNx550 EiceDRIVER™ sono a canale singolo, non isolati, con ingressi veramente differenziali (TDI) per evitare false attivazioni dei MOSFET di potenza.

Ampio intervallo di tensione di ingresso
di modo comune (CMR statico) fino a ±200 V, configurabile
con resistenze di modo comune.
Uscite separate a bassa impedenza source (4 A) e
sink (8 A).
Ritardo di propagazione di 45 ns (precisione -7/+10 ns).
Quattro opzioni UVLO: 4 V, 8 V, 12 V e 15 V.
Contenitori piccoli SOT23-6 o TSNP-6.
Completamente qualificato in conformità a JEDEC per
applicazioni industriali.