Modulo Driver gate MASTERGAN5TR, 3.3 → 15V, QFN, 31-Pin
- Codice RS:
- 233-0469
- Codice costruttore:
- MASTERGAN5TR
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 233-0469
- Codice costruttore:
- MASTERGAN5TR
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli Prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tensione di alimentazione | 3.3 → 15V | |
| Numero pin | 31 | |
| Tipo di package | QFN | |
| Numero di driver | 2 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tensione di alimentazione 3.3 → 15V | ||
Numero pin 31 | ||
Tipo di package QFN | ||
Numero di driver 2 | ||
Il dispositivo STMicroelectronics MASTERGAN5TR è un driver half-bridge da 600 V ad alta densità di potenza con due HEMT di potenza GAN modalità potenziata. MASTERGAN5 è un sistema in contenitore Advanced Power che integra un driver gate e due transistor di potenza GAN Enhancement Mode in configurazione half-bridge. La potenza integrata Gans ha una tensione di blocco drain-source di 650 V e RDS(ON) di 450 mΩ, mentre il lato alto del gate driver incorporato può essere facilmente alimentato dal diodo bootstrap integrato. Si tratta di un driver half-bridge a 600 V ad alta densità di potenza con due HEMT di potenza GAN modalità potenziata.
Capacità di corrente inversa
Zero perdite di recupero inverso
Protezione UVLO sul lato basso e sul lato alto
Diodo di bootstrap interno
Funzione di blocco interno
Corrispondenza precisa della fasatura interna
Ingressi compatibili da 3,3 V a 15 V con isteresi e pull-down
Zero perdite di recupero inverso
Protezione UVLO sul lato basso e sul lato alto
Diodo di bootstrap interno
Funzione di blocco interno
Corrispondenza precisa della fasatura interna
Ingressi compatibili da 3,3 V a 15 V con isteresi e pull-down
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