IGBT IXYS IXGH24N170, VCE 1700 V, IC 50 A, canale Tipo N, TO-247AD, 3 Pin Foro passante, Superficie
- Codice RS:
- 194-883
- Codice Distrelec:
- 302-53-413
- Codice costruttore:
- IXGH24N170
- Costruttore:
- IXYS
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- Codice RS:
- 194-883
- Codice Distrelec:
- 302-53-413
- Codice costruttore:
- IXGH24N170
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 50A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1700V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Tipo di package | TO-247AD | |
| Tipo montaggio | Foro passante, Superficie | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 290ns | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 3.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | IXGH | |
| Altezza | 19.1mm | |
| Lunghezza | 20.32mm | |
| Standard/Approvazioni | UL 94 V-0 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 50A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1700V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Tipo di package TO-247AD | ||
Tipo montaggio Foro passante, Superficie | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 290ns | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 3.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie IXGH | ||
Altezza 19.1mm | ||
Lunghezza 20.32mm | ||
Standard/Approvazioni UL 94 V-0 | ||
Standard automobilistico No | ||
IGBT Discreti, IXYS
IGBT discreti e modulari, IXYS
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
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