Modulo di alimentazione IGBT onsemi NXH800H120L7QDSG, VCE 1.2 kV, IC 800 A Mezzo ponte, canale Tipo N, Tipo P, PIM11, 11

Visualizza IGBT

Prezzo per 1 unità*

227,84 €

(IVA esclusa)

277,96 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 24 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 +227,84 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-059
Codice costruttore:
NXH800H120L7QDSG
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Corrente massima continua collettore Ic

800A

Tipo prodotto

Modulo di alimentazione IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1.2kV

Numero transistor

2

Tipo di package

PIM11

Configurazione

Mezzo ponte

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Numero pin

11

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.05V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

20.8mm

Lunghezza

152mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

62.15mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il modulo di alimentazione IGBT a mezzo ponte di ON Semiconductor è dotato di IGBT Field Stop Trench 7 e diodi Gen. 7 integrati, che garantiscono perdite di conduzione e commutazione inferiori. Questo design consente un'elevata efficienza e un'affidabilità superiore. Il modulo è configurato come mezzo ponte 2-in-1 da 1200 V, 800 A, il che lo rende ideale per le applicazioni che richiedono prestazioni robuste e un'efficienza di conversione di potenza ottimale.

Termistore NTC

Piastra di base isolata

Pin saldabili

Layout a bassa induttività

Senza Pb

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.