IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, PG-TO247-3-PLUS-N

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-981
Codice costruttore:
IGQ75N120S7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

75 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

630 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

PG-TO247-3-PLUS-N

Configurazione

Collettore singolo, emettitore singolo, gate singolo

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

L'IGBT Infineon è progettato per funzionare in modo efficiente a 1200 V, garantendo al contempo prestazioni robuste nelle applicazioni più esigenti. Dotato di una tecnologia di trincea all'avanguardia, questo dispositivo eccelle nella gestione di livelli di corrente elevati, fino a 75 A, rendendolo ideale per gli alimentatori industriali e i sistemi di energia rinnovabile come gli inverter solari. La progettazione meticolosa garantisce una bassa tensione di saturazione e una significativa controllabilità della dv/dt, migliorando l'affidabilità e l'efficienza dei sistemi di conversione di potenza. Con una forte enfasi sulla durata, questo IGBT è stato convalidato per le applicazioni industriali secondo i rigorosi standard JEDEC, assicurando che soddisfi le rigorose esigenze dell'elettronica moderna.

Progettato con tecnologia trench per garantire l'efficienza
La robustezza del cortocircuito garantisce prestazioni affidabili
Ampio intervallo di temperatura per diverse applicazioni
La riduzione delle perdite di commutazione migliora la gestione termica
Ottimizzato per l'uso industriale ad alte prestazioni
Modelli PSpice completi per una facile integrazione
La bassa carica del gate consente velocità di commutazione più elevate

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