IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 160 A, canale N, PG-TO247-3-PLUS-N

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Codice RS:
284-988
Codice costruttore:
IKQ120N65EH7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

160 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

498 W

Configurazione

Collettore singolo, emettitore singolo, gate singolo

Tipo di package

PG-TO247-3-PLUS-N

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

L'IGBT Infineon con semiconduttore di potenza avanzato rivoluziona l'efficienza in varie applicazioni grazie alle sue capacità di alta velocità e alla bassa tensione di saturazione. Progettato con la rinomata tecnologia IGBT7 TRENCHSTOP da 650 V, eccelle nelle topologie a commutazione dura, rendendolo ideale per i sistemi UPS industriali, le soluzioni di ricarica EV e gli inverter di stringa. Questo robusto componente è qualificato in base a rigorosi standard industriali, che ne garantiscono l'affidabilità e la longevità in ambienti difficili.

Utilizza la tecnologia di trincea per l'efficienza
Riduce al minimo le perdite di commutazione per garantire le prestazioni
Progettato per l'affidabilità in condizioni di elevata umidità
Caratteristiche di commutazione uniformi per la precisione
Progettato per un uso versatile dell'elettronica di potenza
Qualificato per applicazioni industriali secondo JEDEC
Supporta la durata del dispositivo con la gestione termica
Fornisce funzionalità di simulazione con i modelli PSpice

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