IGBT Infineon IKQ120N65EH7XKSA1, VCE 650 V, canale Tipo N, PG-TO-247-3-PLUS-N, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Codice RS:
284-988
Codice costruttore:
IKQ120N65EH7XKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

498W

Tipo di package

PG-TO-247-3-PLUS-N

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.65V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

20.1mm

Larghezza

15.9 mm

Altezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Standard automobilistico

No

L'IGBT Infineon con semiconduttore di potenza avanzato rivoluziona l'efficienza in varie applicazioni con le sue capacità ad alta velocità e bassa tensione di saturazione. Progettato con la rinomata tecnologia TRENCHSTOP IGBT7 da 650 V, eccellente nelle topologie di commutazione rigida, il che lo rende ideale per i sistemi UPS industriali, le soluzioni di carica EV e gli inverter a stringa. Questo robusto componente è qualificato secondo rigorosi standard industriali, garantendo affidabilità e lunga durata in ambienti difficili.

Utilizza la tecnologia a trincea per una maggiore efficienza

Minimizza le perdite di commutazione per le prestazioni

Progettato per l'affidabilità in condizioni di alta umidità

Caratteristiche di commutazione lisce per una maggiore precisione

Progettato per un uso versatile dell'elettronica di potenza

Qualificato per applicazioni industriali secondo JEDEC

Supporta la durata del dispositivo con gestione termica

Fornisce funzionalità di simulazione con i modelli PSpice

Link consigliati