IGBT Infineon IKQ150N65EH7XKSA1, VCE 650 V, IC 160 A, canale Tipo N, PG-TO-247-3-PLUS-N, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
284-990
Codice costruttore:
IKQ150N65EH7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

160A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

621W

Tipo di package

PG-TO-247-3-PLUS-N

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Larghezza

15.9 mm

Lunghezza

20.1mm

Altezza

5.1mm

Standard automobilistico

No

L'IGBT Infineon è un esempio di prestazioni all'avanguardia grazie alla sua progettazione ad alta velocità e a bassa tensione di saturazione, adatta ad applicazioni esigenti in vari settori. Questo prodotto sfrutta la tecnologia Advanced trench stop IGBT7, raggiungendo un'eccezionale efficienza a 650 V. La sua struttura copaccata con un morbido e rapido diodo a 7 emettitori controllati per il recupero garantisce un'eccezionale affidabilità e prestazioni del circuito integrato. Ideale per i sistemi UPS industriali e le stazioni di ricarica dei veicoli elettrici Progettato tenendo conto della resistenza all'umidità, il prodotto offre una maggiore durata in ambienti difficili.

Fornisce basse perdite di commutazione per una maggiore efficienza

Fornisce una bassa tensione di saturazione del collettore emettitore

Ottimizzato per le applicazioni di commutazione dura

Garantisce la resistenza all'umidità per l'affidabilità

Offre una gamma di prodotti e modelli PSpice

Qualificato per applicazioni industriali e standard rigorosi

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