IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 150 A, canale N, PG-TO247-3-PLUS-N

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-991
Codice costruttore:
IKQ150N65EH7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

150 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

621 W

Configurazione

Collettore singolo, emettitore singolo, gate singolo

Tipo di package

PG-TO247-3-PLUS-N

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

L'IGBT Infineon è un esempio di prestazioni all'avanguardia grazie alla sua progettazione ad alta velocità e a bassa tensione di saturazione, adatta ad applicazioni esigenti in vari settori. Questo prodotto sfrutta l'avanzata tecnologia IGBT7 con arresto in trincea, raggiungendo una notevole efficienza a 650 V. La sua struttura accoppiata con un diodo Emitter Controlled 7 a recupero rapido e morbido garantisce un'eccezionale affidabilità e prestazioni del circuito integrato. Ideale per i sistemi UPS industriali e le stazioni di ricarica dei veicoli elettrici Progettato tenendo conto della resistenza all'umidità, il prodotto offre una maggiore durata in ambienti difficili.

Fornisce basse perdite di commutazione per una maggiore efficienza
Fornisce una bassa tensione di saturazione del collettore emettitore
Ottimizzato per le applicazioni di commutazione dura
Garantisce la resistenza all'umidità per l'affidabilità
Offre una gamma di prodotti e modelli PSpice
Qualificato per applicazioni industriali e standard rigorosi

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