IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, PG-TO247-4-PLUS-NN5.1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
285-027
Codice costruttore:
IKY75N120CH7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

75 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

549 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

PG-TO247-4-PLUS-NN5.1

Configurazione

Collettore singolo, emettitore singolo, gate singolo

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

4

L'IGBT Infineon è dotato di un dispositivo avanzato ad alta velocità da 1200 V con tecnologia TRENCHSTOP IGBT 7 che offre prestazioni eccezionali, ottimizzate per un'elevata efficienza in applicazioni difficili come gli UPS industriali, la ricarica di veicoli elettrici e la saldatura. Progettato per gestire una temperatura di giunzione massima di 175°C, questo componente assicura una perdita di energia minima e una migliore gestione termica, prolungando così la durata operativa. La sua struttura robusta comprende la placcatura senza piombo, in conformità con la direttiva RoHS, che garantisce la responsabilità ambientale. Con una capacità di gestione della corrente altamente efficiente, fino a 75A, questo IGBT è stato sviluppato per funzionare in condizioni difficili e promuovere una maggiore efficienza del sistema.

La commutazione ad alta velocità migliora le prestazioni
Ottimizzato per una commutazione efficiente
Il diodo di recupero rapido incorporato migliora l'affidabilità
La placcatura al piombo senza Pb soddisfa gli standard ambientali
Gestisce temperature di giunzione elevate per una maggiore durata
Il design facile da usare consente un facile parallelismo

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