IGBT Infineon, VCE 750 V, IC 600 A, canale N
- Codice RS:
- 349-029
- Codice costruttore:
- FS1150R08A8P3LMCHPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità*
1042,74 €
(IVA esclusa)
1272,14 €
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Unità | Per unità |
|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-029
- Codice costruttore:
- FS1150R08A8P3LMCHPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 600 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 750 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 1 kW | |
| Numero di transistor | 6 | |
| Configurazione | Half Bridge | |
| Tipo di montaggio | Montaggio a vite | |
| Tipo di canale | N | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 600 A | ||
Tensione massima collettore emitter 750 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 1 kW | ||
Numero di transistor 6 | ||
Configurazione Half Bridge | ||
Tipo di montaggio Montaggio a vite | ||
Tipo di canale N | ||
- Paese di origine:
- DE
Il modulo HybridPACK Drive G2 Infineon è un modulo di potenza a sei elementi molto compatto con un pacchetto ottimizzato per i veicoli ibridi ed elettrici. Il modulo di potenza implementa la tecnologia EDT3 da 750 V di Infineon, ottimizzata per le applicazioni di trasmissione elettrica, dalle classi di potenza automobilistiche medie e alte.
Design a bassa induttività
Isolamento per 1 secondo a 4,2 kV in CC
Elevate distanze di linea di fuga e di passaggio
Piastra di base PinFin a raffreddamento diretto
Linee guida per l'assemblaggio di circuito stampato e raffreddatori
Tecnologia di contatto PressFIT
Isolamento per 1 secondo a 4,2 kV in CC
Elevate distanze di linea di fuga e di passaggio
Piastra di base PinFin a raffreddamento diretto
Linee guida per l'assemblaggio di circuito stampato e raffreddatori
Tecnologia di contatto PressFIT
