IGBT Infineon FS1150R08A8P3LMCHPSA1, VCE 750 V, IC 600 A Mezzo ponte, canale Tipo N Morsetto a vite

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Codice RS:
349-029
Codice costruttore:
FS1150R08A8P3LMCHPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

600A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

750V

Numero transistor

6

Dissipazione di potenza massima Pd

1kW

Configurazione

Mezzo ponte

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Tipo di canale

Tipo N

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.22V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

185°C

Standard/Approvazioni

RoHS, UL 94 V0

Standard automobilistico

AQG 324

Paese di origine:
DE
Il modulo HybridPACK Drive G2 Infineon è un modulo di potenza a sei elementi molto compatto con un pacchetto ottimizzato per i veicoli ibridi ed elettrici. Il modulo di potenza implementa la tecnologia EDT3 da 750 V di Infineon, ottimizzata per le applicazioni di trasmissione elettrica, dalle classi di potenza automobilistiche medie e alte.

Design a bassa induttività

Isolamento per 1 secondo a 4,2 kV in CC

Elevate distanze di linea di fuga e di passaggio

Piastra di base PinFin a raffreddamento diretto

Linee guida per l'assemblaggio di circuito stampato e raffreddatori

Tecnologia di contatto PressFIT

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