- Codice RS:
- 495-732
- Codice costruttore:
- IRGP4063DPBF
- Costruttore:
- Infineon
22 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
49 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Aggiunto
Prezzo per Unità
3,80 €
(IVA esclusa)
4,64 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
1 - 9 | 3,80 € |
10 - 24 | 3,70 € |
25 - 49 | 3,61 € |
50 - 99 | 3,51 € |
100 + | 3,42 € |
- Codice RS:
- 495-732
- Codice costruttore:
- IRGP4063DPBF
- Costruttore:
- Infineon
Normative
Dettagli prodotto
IGBT in pacchetto combinato oltre 21 A, Infineon
I transistor bipolari a gate isolato (IGBT) di Infineon offrono all'utente una gamma completa di opzioni per un'ampia varietà di applicazioni. I valori nominali di elevata efficienza consentono di utilizzare questa gamma di IGBT in unampia varietà di applicazioni e di supportare varie frequenze di commutazione grazie alle perdite di commutazione ridotte.
IGBT in pacchetto combinato con ripristino software ultraveloce e diodo anti-parallelo per luso in configurazioni a ponte
Transistor IGBT, International Rectifier
International Rectifier offre un'ampia gamma di IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) che vanno da 300 V a 1200 V sulla base di varie tecnologie che riducono al minimo le perdite di conduzione e commutazione per aumentare l'efficienza, ridurre i problemi termici e migliorare la densità di potenza. Inoltre, l'azienda offre una vasta gamma di stampi IGBT progettati specificamente per i moduli di potenza medio-alta. Per i moduli che richiedono la massima affidabilità, possono essere impiegati stampi SFM (Solderable Front Metal) per eliminare i cavi e consentire il raffreddamento su due lati, al fine di migliorare le prestazioni termiche, l'affidabilità e l'efficienza.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Corrente massima continuativa collettore | 96 A |
Tensione massima collettore emitter | 600 V |
Tensione massima gate emitter | ±20V |
Tipo di package | TO247AC |
Tipo di montaggio | Su foro |
Tipo di canale | N |
Numero pin | 3 |
Configurazione transistor | Singolo |
Dimensioni | 15.9 x 5.3 x 20.3mm |
Massima temperatura operativa | +175 °C |
Minima temperatura operativa | -55 °C |