Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 580 A, canale N, AG-62MM-1

Questo modulo IGBT è stato progettato per migliorare le prestazioni in varie applicazioni industriali. Con dimensioni di 106,4 x 61,4 x 30,9 mm, combina un'elevata efficienza con specifiche robuste, offrendo una corrente massima continua di collettore di 580A e una tensione nominale collettore-emettitore di 1200V. Il suo design consente un'efficace integrazione nei circuiti elettronici di potenza, rendendolo la scelta ideale per chi necessita di soluzioni IGBT modulari affidabili.

• La tensione massima di gate-emitter di ±20V offre flessibilità operativa
• L'elevata capacità di dissipazione di potenza di 2kW supporta i requisiti più esigenti
• Progettato per il montaggio a pannello, garantisce una facile installazione in vari ambienti
• La configurazione in serie ottimizza lo spazio e l'efficienza operativa

• Utilizzato nei circuiti di inverter per macchinari industriali
• Ottimizzato per i sistemi di energia rinnovabile, come gli inverter solari
• Efficace nei veicoli elettrici e nei sistemi di propulsione
• Utilizzato nelle apparecchiature di automazione per impieghi gravosi, dove l'alta corrente è fondamentale

La resistenza termica dalla giunzione all'involucro è di 0,062 K/W e dall'involucro al dissipatore è di 0,031 K/W, garantendo un'efficace dissipazione del calore durante il funzionamento.

Con una temperatura operativa massima di +125°C e minima di -40°C, è adatto a diverse condizioni ambientali e ad applicazioni impegnative.

Una corrente di collettore continua massima di 580A significa che questo modulo IGBT è in grado di gestire carichi di potenza significativi, rendendolo ideale per le applicazioni IGBT ad alta corrente in ambito industriale.

Sì, la bassa capacità di gate di 28nF e le capacità di pilotaggio del gate specificate consentono una commutazione rapida ed efficiente, aumentando le prestazioni dei componenti elettronici di potenza nei circuiti.

IGBT discreti e moduli, Infineon

Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.