Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 700 A, canale Tipo N, AG-62MM-2 Morsetto

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Codice RS:
166-1097
Codice costruttore:
FZ600R12KS4HOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

700A

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

3900W

Tipo di package

AG-62MM-2

Tipo montaggio

Morsetto

Tipo di canale

Tipo N

Velocità di commutazione

0.06μs

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

3.85V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

FZ600R12KS4

Altezza

36.5mm

Larghezza

61.4mm

Lunghezza

106.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
HU

Moduli IGBT, Infineon


La gamma di moduli IGBT Infineon offre una bassa perdita di commutazione per commutare frequenze fino a 60 kHz.

Gli IGBT si estendono su una gamma di moduli di alimentazione come i contenitori ECONOPACK con tensione del collettore emettitore a 1200 V, moduli chopper half-bridge IGBT PrimePACK con NTC fino a 1600/1700 V. Gli IGBT PrimePACK possono essere trovati nelle applicazioni industriali, commerciali e di costruzioni e veicoli agricoli. I moduli IGBT a canale N TRENCHSTOP TM e Fieldstop sono adatti ad applicazioni di commutazione hard e soft, quali inverter, UPS e unità industriali.

Tipi di contenitore includono: moduli da 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT discreti e moduli, Infineon


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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