Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 580 A, canale Tipo N, AG-62MM-1 Morsetto
- Codice RS:
- 166-0902
- Codice costruttore:
- FF400R12KE3HOSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 10 + | 139,908 € | 1.399,08 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 166-0902
- Codice costruttore:
- FF400R12KE3HOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 580A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2000W | |
| Tipo di package | AG-62MM-1 | |
| Tipo montaggio | Morsetto | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Velocità di commutazione | 0.04μs | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.15V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Serie | 62_MMC | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 106.4mm | |
| Altezza | 30.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 580A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2000W | ||
Tipo di package AG-62MM-1 | ||
Tipo montaggio Morsetto | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Velocità di commutazione 0.04μs | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.15V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Serie 62_MMC | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 106.4mm | ||
Altezza 30.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- HU
Modulo IGBT Infineon, 580A di corrente continua massima del collettore, 1200V di tensione massima dell'emettitore del collettore - FF400R12KE3HOSA1
Questo modulo IGBT è stato progettato per migliorare le prestazioni in varie applicazioni industriali. Con dimensioni di 106,4 x 61,4 x 30,9 mm, combina un'elevata efficienza con specifiche robuste, offrendo una corrente massima continua di collettore di 580A e una tensione nominale collettore-emettitore di 1200V. Il suo design consente un'efficace integrazione nei circuiti elettronici di potenza, rendendolo la scelta ideale per chi necessita di soluzioni IGBT modulari affidabili.
Caratteristiche e vantaggi
• La tensione massima di gate-emitter di ±20V offre flessibilità operativa
• L'elevata capacità di dissipazione di potenza di 2kW supporta i requisiti più esigenti
• Progettato per il montaggio a pannello, garantisce una facile installazione in vari ambienti
• La configurazione in serie ottimizza lo spazio e l'efficienza operativa
Applicazioni
• Utilizzato nei circuiti di inverter per macchinari industriali
• Ottimizzato per i sistemi di energia rinnovabile, come gli inverter solari
• Efficace nei veicoli elettrici e nei sistemi di propulsione
• Utilizzato nelle apparecchiature di automazione per impieghi gravosi, dove l'alta corrente è fondamentale
Quali sono le specifiche di resistenza termica di questo modulo?
La resistenza termica dalla giunzione all'involucro è di 0,062 K/W e dall'involucro al dissipatore è di 0,031 K/W, garantendo un'efficace dissipazione del calore durante il funzionamento.
Come si comporta questo modulo IGBT a temperature diverse?
Con una temperatura operativa massima di +125°C e minima di -40°C, è adatto a diverse condizioni ambientali e ad applicazioni impegnative.
Quali sono le implicazioni dell'elevata corrente nominale del collettore?
Una corrente di collettore continua massima di 580A significa che questo modulo IGBT è in grado di gestire carichi di potenza significativi, rendendolo ideale per le applicazioni IGBT ad alta corrente in ambito industriale.
Il modulo è in grado di gestire efficacemente le operazioni di commutazione rapida?
Sì, la bassa capacità di gate di 28nF e le capacità di pilotaggio del gate specificate consentono una commutazione rapida ed efficiente, aumentando le prestazioni dei componenti elettronici di potenza nei circuiti.
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