IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, TO-220, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
168-7066
Codice costruttore:
STGF20H60DF
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continua collettore Ic

40A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

16.4mm

Lunghezza

10.4mm

Larghezza

4.6mm

Serie

Trench Gate Field Stop

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

ESBT discreti, ST Microelectronics


IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.