IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, TO-220FP

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Codice RS:
168-7066
Codice costruttore:
STGF20H60DF
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

40 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

167 W

Tipo di package

TO-220FP

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Velocità di switching

1MHz

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

10.4 x 4.6 x 15.75mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Massima temperatura operativa

+175 °C

Paese di origine:
CN

ESBT discreti, ST Microelectronics



IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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