IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 25 A, canale N, TO-220

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

3,60 €

(IVA esclusa)

4,40 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 28 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 4 unità in spedizione dal 31 dicembre 2025
  • Più 100 unità in spedizione dal 21 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 21,80 €3,60 €
4 +1,71 €3,42 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
686-8366
Codice costruttore:
STGP7NC60HD
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

25 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Tipo di package

TO-220

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

10.4 x 4.6 x 9.15mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

ESBT discreti, ST Microelectronics



IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati