IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 10 A, canale N, D2PAK (TO-263)

Visualizza IGBT

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

880,00 €

(IVA esclusa)

1070,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 23 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +0,88 €880,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
168-7156
Codice costruttore:
STGB10NC60HDT4
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

10 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

65 W

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Velocità di switching

1MHz

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

10.4 x 9.35 x 4.6mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
CN

ESBT discreti, ST Microelectronics



IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati