IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 20 A, canale Tipo N, TO-263, 3 Pin Superficie

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Codice RS:
168-7156
Codice costruttore:
STGB10NC60HDT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continua collettore Ic

20A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

65W

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.5V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.4mm

Altezza

4.6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

ESBT discreti, ST Microelectronics


IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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