IGBT STMicroelectronics STGF10NC60KD, VCE 600 V, IC 9 A, canale Tipo N, TO-220, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

42,70 €

(IVA esclusa)

52,10 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 150 unità in spedizione dal 01 luglio 2026
  • Più 150 unità in spedizione dal 12 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Tubo*
50 - 500,854 €42,70 €
100 - 2000,844 €42,20 €
250 - 4500,834 €41,70 €
500 +0,823 €41,15 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
168-7163
Codice costruttore:
STGF10NC60KD
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continua collettore Ic

9A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

25W

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.5V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

16.4mm

Lunghezza

10.4mm

Serie

Low Drop

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

ESBT discreti, ST Microelectronics


IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati