IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 100 A, TO-247

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
189-0476
Codice costruttore:
FGHL50T65SQ
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

100 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

268 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

Utilizzando la nuova tecnologia IGBT di 4th generazione di arresto di campo. FGHL50T65SQ è un IGBT singolo. Questo IGBT offre le prestazioni ottimali sia con perdite di conduzione basse che con perdite di commutazione per un funzionamento ad alta efficienza in varie applicazioni.

VCE(sat) = 1,6V (tip.) @ IC = 50A
Commutazione ad alta velocità
Bassa perdita di aspirazione
Bassa perdita di commutazione
Applications
PFC
Prodotti finali
Alimentatori
Condizionatore d'aria

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