Modulo IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 25 A, canale N, DIP26

Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Codice RS:
202-5678
Codice costruttore:
NXH25C120L2C2SG
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

25 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20.0V

Numero di transistor

6

Tipo di package

DIP26

Configurazione

Trifase

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Il modulo di potenza stampato a trasferimento on Semiconductor contenente un circuito convertitore-invertitore-freno costituito da sei raddrizzatori da 25 Ampere e 1600 Volt, sei IGBT da 25 Ampere e 1200 Volt con diodi inversi, un IGBT da 25 Ampere e 1200 Volt con diodo freno e un termistore NTC.

Bassa resistenza termica
distanza 6mm tra il pin e il dissipatore di calore
Pin saldabili
Termistore
Senza piombo
Senza alogeni o senza BFR
Conformità RoHS

Link consigliati