IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO263-3
- Codice RS:
- 215-6649
- Codice costruttore:
- IKB40N65EF5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
1517,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,517 € | 1.517,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6649
- Codice costruttore:
- IKB40N65EF5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 74 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20 V, ±30 V | |
| Dissipazione di potenza massima | 250 W | |
| Tipo di package | PG-TO263-3 | |
| Numero pin | 3 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 74 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20 V, ±30 V | ||
Dissipazione di potenza massima 250 W | ||
Tipo di package PG-TO263-3 | ||
Numero pin 3 | ||
Transistor bipolare a gate isolato ad alta velocità Infineon con corrente nominale completa Rapid 1 diodo antiparallelo rapido e morbido.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica