IC a singolo transistor IGBT Infineon IKB40N65EF5ATMA1, VCE 650 V, IC 74 A, canale Tipo N, TO-263, 3 Pin Superficie
- Codice RS:
- 215-6651
- Codice costruttore:
- IKB40N65EF5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 215-6651
- Codice costruttore:
- IKB40N65EF5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | IC a singolo transistor IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 74A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.6V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±30 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC47/20/22 | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto IC a singolo transistor IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 74A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.6V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±30 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC47/20/22 | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor bipolare a gate isolato ad alta velocità Infineon con corrente nominale completa Rapid 1 diodo antiparallelo rapido e morbido.
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