IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3
- Codice RS:
- 215-6647
- Codice costruttore:
- IKB15N65EH5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
932,00 €
(IVA esclusa)
1137,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,932 € | 932,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6647
- Codice costruttore:
- IKB15N65EH5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 30 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20 V, ±30 V | |
| Dissipazione di potenza massima | 105 W | |
| Tipo di package | PG-TO263-3 | |
| Numero pin | 3 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 30 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20 V, ±30 V | ||
Dissipazione di potenza massima 105 W | ||
Tipo di package PG-TO263-3 | ||
Numero pin 3 | ||
Il transistor bipolare a gate isolato ad alta velocità Infineon è stato copacked con diodo antiparallelo Rapid 1 a corrente nominale completa e ha anche una tensione di scarica distruttiva di 650V.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica