IC a singolo transistor IGBT Infineon IKB15N65EH5ATMA1, VCE 650 V, IC 30 A, canale Tipo N, TO-263, 3 Pin Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-6648
Codice costruttore:
IKB15N65EH5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IC a singolo transistor IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

30A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

105W

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

±30 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.65V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

JEDEC47/20/22

Serie

High Speed Fifth Generation

Standard automobilistico

No

Il transistor bipolare a gate isolato ad alta velocità Infineon è stato copacked con diodo antiparallelo Rapid 1 a corrente nominale completa e ha anche una tensione di scarica distruttiva di 650V.

Elevata efficienza

Basse perdite di commutazione

Maggiore affidabilità

Bassa interferenza elettromagnetica

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