IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 79 A, PG-TO263-3
- Codice RS:
- 215-6655
- Codice costruttore:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,635 € | 7,27 € |
| 20 - 48 | 3,09 € | 6,18 € |
| 50 - 98 | 2,91 € | 5,82 € |
| 100 - 198 | 2,695 € | 5,39 € |
| 200 + | 2,51 € | 5,02 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6655
- Codice costruttore:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 79 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20 V, ±30 V | |
| Dissipazione di potenza massima | 230 W | |
| Tipo di package | PG-TO263-3 | |
| Numero pin | 3 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 79 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20 V, ±30 V | ||
Dissipazione di potenza massima 230 W | ||
Tipo di package PG-TO263-3 | ||
Numero pin 3 | ||
Transistor bipolare a gate isolato di quinta generazione della serie di interruttori ad alta velocità Infineon.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica