IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 15 A, canale N, EasyPIM
- Codice RS:
- 226-6056
- Codice costruttore:
- FP15R12W1T7B11BOMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | 27,464 € | 659,14 € |
| 48 + | 26,091 € | 626,18 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6056
- Codice costruttore:
- FP15R12W1T7B11BOMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 15 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | 20V | |
| Numero di transistor | 7 | |
| Dissipazione di potenza massima | 20 mW | |
| Tipo di package | EasyPIM | |
| Configurazione | Hex | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 23 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 15 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter 20V | ||
Numero di transistor 7 | ||
Dissipazione di potenza massima 20 mW | ||
Tipo di package EasyPIM | ||
Configurazione Hex | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 23 | ||
Il modulo IGBT PIM Infineon da 15 A ha una maggiore densità di potenza e ha anche un costo del sistema inferiore. Ha una bassa tensione di stato ON VCEsat e Vf.
Maggiore controllabilità di dv/dt
Perdite di commutazione ottimizzate per 5kV/μs dv/dt
resistenza ai cortocircuiti di 8 μs
Perdite di commutazione ottimizzate per 5kV/μs dv/dt
resistenza ai cortocircuiti di 8 μs