IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 25 A, canale Tipo N, EasyPIM, 23 Pin Morsetto
- Codice RS:
- 226-6058
- Codice costruttore:
- FP25R12W2T7B11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 vassoio da 15 unità*
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 15 + | 35,424 € | 531,36 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6058
- Codice costruttore:
- FP25R12W2T7B11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 25A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 20mW | |
| Tipo di package | EasyPIM | |
| Tipo montaggio | Morsetto | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 23 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.82V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 56.7mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 12mm | |
| Serie | FP25 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 25A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 20mW | ||
Tipo di package EasyPIM | ||
Tipo montaggio Morsetto | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 23 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.82V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 56.7mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 12mm | ||
Serie FP25 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il modulo IGBT PIM Infineon da 25 A ha un design compatto e utilizza la tecnologia dei contatti PRESSFIT. Ha una bassa tensione di stato ON VCEsat.
Funzionamento in sovraccarico fino a 175 °C.
Isolamento 2,5 kV c.a. 1min
Substrato Al2O3 con bassa resistenza termica
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