IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 25 A, canale N, EasyPIM
- Codice RS:
- 226-6058
- Codice costruttore:
- FP25R12W2T7B11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 vassoio da 15 unità*
531,36 €
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 15 + | 35,424 € | 531,36 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6058
- Codice costruttore:
- FP25R12W2T7B11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 25 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 20 mW | |
| Numero di transistor | 7 | |
| Configurazione | Hex | |
| Tipo di package | EasyPIM | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 23 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 25 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter 20V | ||
Dissipazione di potenza massima 20 mW | ||
Numero di transistor 7 | ||
Configurazione Hex | ||
Tipo di package EasyPIM | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 23 | ||
Il modulo IGBT PIM Infineon da 25 A ha un design compatto e utilizza la tecnologia dei contatti PRESSFIT. Ha una bassa tensione di stato ON VCEsat.
Funzionamento in sovraccarico fino a 175 °C.
Isolamento 2,5 kV c.a. 1min
Substrato Al2O3 con bassa resistenza termica
Isolamento 2,5 kV c.a. 1min
Substrato Al2O3 con bassa resistenza termica