IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 62 A, canale N, PG-TO220

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

19,78 €

(IVA esclusa)

24,13 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 500 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 203,956 €19,78 €
25 - 453,318 €16,59 €
50 - 1203,124 €15,62 €
125 - 2452,888 €14,44 €
250 +2,69 €13,45 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
226-6105
Codice costruttore:
IKP39N65ES5XKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

62 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

30V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

188 W

Tipo di package

PG-TO220

Configurazione

Single

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Infineon IKP39N65ES5 ha la massima densità di potenza con ingombro TO-220 e non richiede componenti per il bloccaggio del gate. In questa caratteristica di caduta di corrente dolce senza corrente di coda ed è eccellente per il collegamento in parallelo.

VCEsat molto bassa di 1,45 V a 25°C.
Corrente di impulso IC 4 volte (100 °C Tc)
Temperatura massima di giunzione Tvj 175°C.

Link consigliati