Modulo Smart Power onsemi, VCE 600 V, canale N, DIP
- Codice RS:
- 229-6437
- Codice costruttore:
- NFAQ1560R43T
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 tubo da 400 unità*
4675,20 €
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5703,60 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 400 + | 11,688 € | 4.675,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 229-6437
- Codice costruttore:
- NFAQ1560R43T
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Numero di transistor | 6 | |
| Dissipazione di potenza massima | 50 W | |
| Tipo di package | DIP | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 38 | |
| Configurazione transistor | Serie | |
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|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Numero di transistor 6 | ||
Dissipazione di potenza massima 50 W | ||
Tipo di package DIP | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 38 | ||
Configurazione transistor Serie | ||
Lo stadio di potenza inverter on Semiconductor completamente integrato è costituito da un driver ad alta tensione, sei IGBT e un termistore, adatto per l'azionamento di motori sincroni a magnete permanente, motori brushless-c.c. e motori asincroni c.a. Gli IGBT sono configurati in un ponte trifase con collegamenti emettitore separati per i piedini inferiori per la massima flessibilità nella scelta dell'algoritmo di controllo.
Buona dissipazione del calore con DBC
Ottimizza le perdite ed EMI con un'elevata densità di potenza
Multifunzione integrato per un design compatto
Misurazione più accurata della temperatura del modulo tramite NTC integrato
Diodi e resistenze bootstrap integrati
Ottimizza le perdite ed EMI con un'elevata densità di potenza
Multifunzione integrato per un design compatto
Misurazione più accurata della temperatura del modulo tramite NTC integrato
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