IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 5 A, canale N, DIP
- Codice RS:
- 221-6683
- Codice costruttore:
- NFAM0512L5BT
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 221-6683
- Codice costruttore:
- NFAM0512L5BT
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 5 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | 16.5V | |
| Numero di transistor | 6 | |
| Tipo di package | DIP | |
| Configurazione | Ponte trifase | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 39 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 5 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter 16.5V | ||
Numero di transistor 6 | ||
Tipo di package DIP | ||
Configurazione Ponte trifase | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 39 | ||
L'on Semiconductor NFAM0512L5BT è un modulo di alimentazione inverter completamente integrato da− costituito da un driver gate high side indipendente, LVIC, sei IGBT e un sensore di temperatura (termistore VTS e NTC), adatto per l'azionamento di motori sincroni a magnete permanente (PMSM), motori c.c. brushless (BLDC) e motore asincrono c.a.
Interfaccia logica attiva
Protezione da sottotensione−−incorporata
Diodi e resistenze bootstrap integrati
Collegamenti emettitore IGBT low−laterale separati per il rilevamento della corrente individuale di ogni fase
Protezione da sottotensione−−incorporata
Diodi e resistenze bootstrap integrati
Collegamenti emettitore IGBT low−laterale separati per il rilevamento della corrente individuale di ogni fase