IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 60 A, canale N, TO-3PN
- Codice RS:
- 864-8776
- Codice costruttore:
- FGA30N120FTDTU
- Costruttore:
- onsemi
Non disponibile
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- Codice RS:
- 864-8776
- Codice costruttore:
- FGA30N120FTDTU
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 60 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±25V | |
| Dissipazione di potenza massima | 339 W | |
| Tipo di package | TO-3PN | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 60 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±25V | ||
Dissipazione di potenza massima 339 W | ||
Tipo di package TO-3PN | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
IGBT discreti, 1000 V e oltre, Fairchild Semiconductor
Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.