IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 40 A, canale N, TO-3PN

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IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, TO-3P
Codice RS
791-7668

1pz in confezione da 5

2,792 €

(IVA esclusa)

3,406 €

(IVA inclusa)

Codice RS:
671-5391
Codice costruttore:
FGA20N120FTDTU
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

40 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±25V

Tipo di package

TO-3PN

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

15.8 x 5 x 18.9mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Massima temperatura operativa

+150 °C

IGBT discreti, 1000 V e oltre, Fairchild Semiconductor



Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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