IGBT onsemi FGA60N65SMD, VCE 650 V, IC 120 A, canale Tipo N, TO-3PN, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
864-8795
Codice costruttore:
FGA60N65SMD
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continua collettore Ic

120A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

600W

Tipo di package

TO-3PN

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

140ns

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.5V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Serie

Field Stop

Standard automobilistico

No

IGBT discreti, Fairchild Semiconductor


Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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