IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 150 A, canale N, TO247-3LD
- Codice RS:
- 284-9002
- Codice costruttore:
- FGY75T120SWD
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 tubo da 30 unità*
148,35 €
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180,99 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 4,945 € | 148,35 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 284-9002
- Codice costruttore:
- FGY75T120SWD
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 150 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 714 W | |
| Configurazione | Single | |
| Tipo di package | TO247-3LD | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 150 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 714 W | ||
Configurazione Single | ||
Tipo di package TO247-3LD | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Il regolatore LDO di ON Semiconductor offre prestazioni ottimali con basse perdite di commutazione e conduzione per operazioni ad alta efficienza in varie applicazioni come quelle solari, UPS ed ESS.
Elevata capacità di corrente
Commutazione fluida e ottimizzata
Bassa perdita di commutazione
Conformità alla direttiva RoHS
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Conformità alla direttiva RoHS