IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, DIP39

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-038
Codice costruttore:
NFAM3065L4BL
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

30 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Dissipazione di potenza massima

113 W

Numero di transistor

6

Configurazione

Trifase

Tipo di package

DIP39

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

39

Paese di origine:
VN
Il modulo di potenza inverter integrato di ON Semiconductor è dotato di un gate driver high-side, di un LVIC, di sei IGBT e di un sensore di temperatura (VTS), che lo rendono ideale per il pilotaggio di motori asincroni PMSM, BLDC e CA. Gli IGBT sono disposti in un ponte trifase con connessioni di emettitore separate per le gambe inferiori, consentendo la massima flessibilità nella selezione dell'algoritmo di controllo.

Interfaccia logica attiva
Protezione da sottotensione incorporata
Diodi e resistenze di bootstrap integrati
Connessioni separate dell'emettitore dell'IGBT lato basso per il rilevamento individuale della corrente di ciascuna fase

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