IGBT onsemi NFAM3065L4BL, VCE 650 V, IC 30 A Trifase, canale Tipo N, DIP-39, 39 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 277-038
- Codice costruttore:
- NFAM3065L4BL
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|
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- Codice RS:
- 277-038
- Codice costruttore:
- NFAM3065L4BL
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 30A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Numero transistor | 6 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 113W | |
| Tipo di package | DIP-39 | |
| Configurazione | Trifase | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 39 | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.3V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 5.6mm | |
| Larghezza | 31 mm | |
| Standard/Approvazioni | Pb-Free, UL1557 (File No.339285), RoHS | |
| Lunghezza | 54.5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continua collettore Ic 30A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Numero transistor 6 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 113W | ||
Tipo di package DIP-39 | ||
Configurazione Trifase | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 39 | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.3V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 5.6mm | ||
Larghezza 31 mm | ||
Standard/Approvazioni Pb-Free, UL1557 (File No.339285), RoHS | ||
Lunghezza 54.5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- VN
Il modulo di potenza inverter integrato di ON Semiconductor è dotato di un gate driver high-side, di un LVIC, di sei IGBT e di un sensore di temperatura (VTS), che lo rendono ideale per il pilotaggio di motori asincroni PMSM, BLDC e CA. Gli IGBT sono disposti in un ponte trifase con connessioni di emettitore separate per le gambe inferiori, consentendo la massima flessibilità nella selezione dell'algoritmo di controllo.
Interfaccia logica attiva
Protezione da sottotensione incorporata
Diodi e resistenze di bootstrap integrati
Connessioni separate dell'emettitore dell'IGBT lato basso per il rilevamento individuale della corrente di ciascuna fase