IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, DIP39

Il modulo di potenza inverter integrato di ON Semiconductor è dotato di un gate driver high-side, di un LVIC, di sei IGBT e di un sensore di temperatura (VTS), che lo rendono ideale per il pilotaggio di motori asincroni PMSM, BLDC e CA. Gli IGBT sono disposti in un ponte trifase con connessioni di emettitore separate per le gambe inferiori, consentendo la massima flessibilità nella selezione dell'algoritmo di controllo.

Interfaccia logica attiva
Protezione da sottotensione incorporata
Diodi e resistenze di bootstrap integrati
Connessioni separate dell'emettitore dell'IGBT lato basso per il rilevamento individuale della corrente di ciascuna fase