IGBT onsemi NFAM3065L4BL, VCE 650 V, IC 30 A Trifase, canale N, DIP-39, 39 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-038
Codice costruttore:
NFAM3065L4BL
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

30A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Numero transistor

6

Dissipazione di potenza massima Pd

113W

Tipo di package

DIP-39

Configurazione

Trifase

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

N

Numero pin

39

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

54.5mm

Altezza

5.6mm

Standard/Approvazioni

Pb-Free, UL1557 (File No.339285), RoHS

Larghezza

31mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
VN
Il modulo di potenza inverter integrato di ON Semiconductor è dotato di un gate driver high-side, di un LVIC, di sei IGBT e di un sensore di temperatura (VTS), che lo rendono ideale per il pilotaggio di motori asincroni PMSM, BLDC e CA. Gli IGBT sono disposti in un ponte trifase con connessioni di emettitore separate per le gambe inferiori, consentendo la massima flessibilità nella selezione dell'algoritmo di controllo.

Interfaccia logica attiva

Protezione da sottotensione incorporata

Diodi e resistenze di bootstrap integrati

Connessioni separate dell'emettitore dell'IGBT lato basso per il rilevamento individuale della corrente di ciascuna fase

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