IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, Modulo

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Codice RS:
232-6716
Codice costruttore:
FP75R12N2T7B11BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

75 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

20 mW

Numero di transistor

7

Configurazione

Trifase

Tipo di package

Modulo

Tipo di montaggio

Montaggio a telaio

Tipo di canale

N

Numero pin

31

Configurazione transistor

Trifase

Il modulo IGBT PIM trifase da 2, 75 A di Infineon EconoPIM viene fornito con tecnologia di contatto NTC e Pressfit TRENCHSTOP IGBT7, diodo controllato da emettitore 7. Il PIM (moduli integrati di potenza) con l'integrazione di raddrizzatore e chopper di frenata consente un risparmio sui costi del sistema. Le applicazioni potenziali includono inverter ausiliari, azionamenti per motori e servoazionamenti.

Moduli conformi alla direttiva RoHS
Piastra di base in rame per una diffusione ottimale del calore
Alta densità di potenza

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