IGBT Infineon FP75R12N2T7B11BPSA1, VCE 1.2 kV, IC 75 A, canale N, Modulo, 31 Pin Telaio

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Codice RS:
232-6716
Codice costruttore:
FP75R12N2T7B11BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

75A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1.2kV

Numero transistor

7

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tipo di package

Modulo

Tipo montaggio

Telaio

Tipo di canale

N

Numero pin

31

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.55V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

45mm

Altezza

21.3mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

107.5mm

Serie

FP75R12N2T7_B11

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT PIM trifase da 2, 75 A di Infineon EconoPIM viene fornito con tecnologia di contatto NTC e Pressfit TRENCHSTOP IGBT7, diodo controllato da emettitore 7. Il PIM (moduli integrati di potenza) con l'integrazione di raddrizzatore e chopper di frenata consente un risparmio sui costi del sistema. Le applicazioni potenziali includono inverter ausiliari, azionamenti per motori e servoazionamenti.

Moduli conformi alla direttiva RoHS

Piastra di base in rame per una diffusione ottimale del calore

Alta densità di potenza

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