Modulo IGBT Infineon FZ825R33HE4DBPSA1, VCE 3.3 kV, IC 825 A Singolo, AG-IHVB130

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Codice RS:
236-5198
Codice costruttore:
FZ825R33HE4DBPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

825A

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

3.3kV

Numero transistor

2

Dissipazione di potenza massima Pd

2400kW

Tipo di package

AG-IHVB130

Configurazione

Singolo

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.65V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

109.9mm

Altezza

16.4mm

Standard/Approvazioni

60749, 60068, IEC 60747

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT a interruttore singolo Infineon è dotato di TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo controllato da emettitore 4. Questo modulo è dotato di un'elevata densità di potenza e piastra di base AlSiC per una maggiore capacità di cicli termici.

VCES è 3300 V.

IC nom è 825 A.

ICRM è 1650 A.

Mantiene un'elevata densità di corrente

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