Modulo IGBT Infineon, VCE 3.300 V., IC 825 A., AG-IHVB130
- Codice RS:
- 236-5199
- Codice costruttore:
- FZ825R33HE4DBPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità*
1236,77 €
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|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 236-5199
- Codice costruttore:
- FZ825R33HE4DBPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 825 A. | |
| Tensione massima collettore emitter | 3.300 V. | |
| Dissipazione di potenza massima | 2.400 kW | |
| Numero di transistor | 2 | |
| Tipo di package | AG-IHVB130 | |
| Configurazione | Single | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 825 A. | ||
Tensione massima collettore emitter 3.300 V. | ||
Dissipazione di potenza massima 2.400 kW | ||
Numero di transistor 2 | ||
Tipo di package AG-IHVB130 | ||
Configurazione Single | ||
Il modulo IGBT a interruttore singolo Infineon è dotato di TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo controllato da emettitore 4. Questo modulo è dotato di un'elevata densità di potenza e piastra di base AlSiC per una maggiore capacità di cicli termici.
VCES è 3300 V.
IC nom è 825 A.
ICRM è 1650 A.
Mantiene un'elevata densità di corrente
IC nom è 825 A.
ICRM è 1650 A.
Mantiene un'elevata densità di corrente