IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, TO-247-4LD

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
241-0726P
Codice costruttore:
FGH4L50T65SQD
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

80 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

15V

Dissipazione di potenza massima

268 W

Numero di transistor

30

Tipo di package

TO-247-4LD

IGBT FS4 ad alta velocità da 650 V, 80 A Semiconductor ON. Ciò offre prestazioni ottimali bilanciando le perdite Vce(sat) ed Eoff e il sovraccarico Vce di turnooff controllabile. Ideale per inverter solare, UPS, stazioni di ricarica EV, ESS e altre applicazioni di conversione di potenza ad alte prestazioni.

Coefficiente di temperatura positivo
Funzionamento in parallelo facile
Perdite di commutazione basse

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