IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 200 A, TO-247-4LD
- Codice RS:
- 241-0725
- Codice costruttore:
- FGH4L50T65SQD
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 241-0725
- Codice costruttore:
- FGH4L50T65SQD
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 200 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | 15V | |
| Numero di transistor | 30 | |
| Dissipazione di potenza massima | 268 W | |
| Tipo di package | TO-247-4LD | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 200 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter 15V | ||
Numero di transistor 30 | ||
Dissipazione di potenza massima 268 W | ||
Tipo di package TO-247-4LD | ||
IGBT FS4 ad alta velocità da 650 V, 80 A Semiconductor ON. Ciò offre prestazioni ottimali bilanciando le perdite Vce(sat) ed Eoff e il sovraccarico Vce di turnooff controllabile. Ideale per inverter solare, UPS, stazioni di ricarica EV, ESS e altre applicazioni di conversione di potenza ad alte prestazioni.
Coefficiente di temperatura positivo
Funzionamento in parallelo facile
Perdite di commutazione basse
Funzionamento in parallelo facile
Perdite di commutazione basse